四合院：我边做科研边吃瓜 第376章 PMOS

( ) 不是我不一次性说完，而是我每说一句话，你都要打断我发表一点儿什么意见，利诺奇卡心想。

“煤油？煤油的热值是要比酒精高，啊哈，难道这就是原因？”

部长同志这才有些释然。

并不是他一定要找点什么原因才能让自己高兴，而是这些情况单独看起来都不算什么，可是全部组合到一起，就多少有一些让人惊讶了。

更大的射程，更大的战斗部，同等的尺寸和重量，这说明对方一定有什么自己不知道的技术。

“部长同志，我们要不要试一试把P-15的酒精换成煤油？”

P-15，就是544导弹。

“噢，不！基层的达瓦里氏们会抱怨的，至少现在的P-15不能换！他们已经习惯维护这种导弹了，不是么？”

不得不说，作为部长，还是非常体恤一线基层的同志的。

咱们正毛旗的兵，就爱维护酒精燃料！

“利诺奇卡同志，如果那边还有什么新的消息，一定要早一点告诉我。顺便告诉卢比扬卡的同志，他们需要付出更多努力了！”部长同志总是觉得其中有哪里不对，但是又不知道哪里不对。

——

老毛子的纠结，高振东并不知道，他正在纠结自己的事情。

其实也不是纠结，只是在繁杂的工艺中选出一条合适的路来。

虽然已经选定了MOS技术，可是MOS技术也有PMOS（P沟道MOS）、NMOS（N沟道MOS）、CMOS（互补MOS）等等。

这些技术的每一道工序，又有不同的选择。

就好像搭积木，要搭出一个公园来，有不同的搭法，正所谓杀猪杀屁股，各有各的杀法。

不过在MOS的种类上，高振东倒是没什么好纠结的，PMOS直接上就行了，作为最早的MOS技术，自然是有他的优点的。

猜猜它为什么最早？简单啊！

PMOS只需要五次光刻就能搞定。

P区光刻、栅光刻、接触光刻、金属光刻、压焊块光刻，并在每次光刻中间加上不同的淀积或者氧化工序。

分别形成P区、栅极、对外接触孔、芯片内布线和封装时用的引出焊点。

而且，其中掩膜需要严格对准套刻的，只有第二次栅光刻，其他时候的对准要求都不是那么高，这就让手上的技术条件有限，捉襟见肘的高振东感到很舒服。

抛开封装，只是从硅片到布满成品芯片核心（DIE）的半成品，只需要12步工艺，就这，还包括准备硅片那一步工艺。

甚至不想要钝化那一步的话，只要前4次光刻就足够了，与之相应的工艺也减少到了10步。

这是真的简单，而且对材料的要求也不高。

只需要考虑引入三种元素。

——形成氧化保护层的氧、形成栅极的硼、还有形成金属导线的铝。

其中铝都不用考虑掺杂扩散的问题，只是用于沉积。

某退休老头：真是太好玩儿了.jpg。

而NMOS和CMOS的难度，可就比PMOS大多了，PMOS别的不说，至少做逻辑集成电路没问题，而且，这玩意10μm的制程是能做C8008的，其实做更高的制程也没问题。

选定了PMOS，高振东很快就把工艺路线给确定下来了。

不要最后一步钝化，4次光刻，只到金属光刻完成为止。

至于为什么选这个，当然是因为简单了，而且他一开始是做比较粗的制程的，这个程度也就够了。

而且，少这一步，成本也会下降。

先把逻辑门电路拿出来，支撑住DJS-60D的生产，然后再去搞更好的。

先解决有没有，再解决好不好。

选定了这些，抄起书来，那就快了，高振东花了一个下午飞快的把书抄完，第二天一個电话打给了已经有点儿望眼欲穿的1274厂。

一个多小时过后，吕厂长和鲁总工带着人联袂而至，就等着这一天呢。

看着高振东给出的工艺设计指导文件，两人有点懵，这玩意比起原来的，怎么还变薄了？

先进技术，必定复杂，一旦复杂，那资料就会很厚，大家都这么想。

“高总工，这工艺是先一部分一部分的做，这里是前期我们要做的事情？”鲁总工问道。

高振东一头雾水，我什么时候说过一部分一部分做了：“没有啊，这里就是全部了。”

“全部？”两人大惊失色，这怎么可能？

高振东笑着把工艺的简单概况给他们解释了一遍，两人陷入了“我不懂，但我大受震撼”的状态之中。

高振东只好解释了一下：“PMOS技术虽然新一点，但是从工艺上来说是要简单一些的，最符合我们现在的情况。”

鲁总工大喜过望，对着双极型晶体管半导体那复杂的工艺抠掉了半脑袋头发的他，觉得这是今天听到的第一个好消息，也是最好的消息，高总工有才啊。

“高总工，你是说这个技术，只要这么几次光刻，几十步工序，就能完成双极型半导体要一百多步工序才能完成完成的事情？”

高振东笑道：“技术的发展其实本来就是这样的，先进不等于复杂，有的先进技术可以简单到我们难以想象。”

甚至看起来还超级土鳖，高振东心想。

对于高振东，他们两人还是很相信的，这位说的话，基本上还从来没有落空过。

“高总工，这太好了，我们需要做什么？”

高振东道：“我看现在厂里的情况，是有扩散炉的对吧？”

吕厂长点点头：“是的，这是我们基础生产设备之一，很多。”

“那最高的温控精度有多高？到得了正负1摄氏度不？”高振东问道，这个精度涉及到扩散掺杂效果。

这个鲁总工清楚：“这个到不了，有点差距，主要是传感器问题。”

现在他们用的K型热电偶，测温范围没有问题，但是精度就差不少了，2.5摄氏度或者千分之7.5，对于这个精度要求差了老远。

高振东想了想，没有推荐B型热电偶，B型的千分之2.5的误差也差点意思，而且反应速度慢。

“加一个铂电阻吧，间接测量，作为辅助传感器，配合K型热电偶，加上DJS-60D跑PID控制算法，应该是能控制得住的。”

铂电阻反应速度也慢，不过这个可以算法手段加以某种程度上的解决，铂电阻精度就远超需求了，最好的可以到千分之三摄氏度。

铂电阻最大的问题还是测温范围问题，半导体生产中需要用到1000摄氏度以上的范围，是超过铂电阻的测温范围的，不过间接测量设计得好的话，问题不大。

所以高振东拿出了铂电阻间接测量 K型热电偶直接测量的办法，一个测得准，一个测得快，双剑合璧，天下无敌。

他不知道日后的扩散炉是怎么解决这个问题的，反正在他这里，他就这么解决。

之所以这个扩散炉这么重要，主要是很多工序都靠这个。

氧化、淀积、扩散、扩散-氧化，这些都靠这玩意了。

扩散-氧化本来还有一种工艺的，但是高振东没有选，因为选择那种工艺会多出来一种叫做外延反应系统的设备，那就麻烦了。

所以高振东选择的还是能靠扩散炉完成“热氧化法”。

高振东想了想，又给了一笔支持：“到时候我这边支持你们一些专门搞计算机控制和热电偶应用的技术人员，负责配合你们搞这个事情。”

鲁总工他们这下放下了心，高总工这里的精兵强将亲自支援，那就好办多了。

高振东也很开心，PMOS技术芯片制造阶段的三大核心设备，一个光刻机，一个扩散炉都有了，就剩下一个了。

“吕厂长，真空蒸镀设备现在是个什么情况？”在1274厂的现状上面没有发现这东西，情况可能不容乐观。

吕厂长摇摇头：“没有，以前我们都用不上这个。”

真空蒸镀，在真空条件下蒸发金属，在工件表面形成金属镀层的设备，在芯片制造业，它的升级版是溅射设备。

不过溅射设备是用于钽、铌等金属的，它们的溅射特性好，而芯片内布线大量使用的铝就不同了，一直是蒸发。

不过蒸发也有几种，有电阻加热的，直接用钨等金属电阻材料加热高纯铝，形成金属蒸气，完成蒸镀。

还有一种是电子束蒸发，这个可以避免电阻加热的一些坏处，比如加热电阻与工艺中的氧化气氛接触，会把自己给蒸了，甚至它们会和被蒸发的金属起反应，这就更难绷了。

高振东想了想：“那我们搞个电阻蒸镀机吧。”

电子束蒸发是要靠磁场精准偏转电子束打到靶材上进行加热的，先不说高能电子束的来源问题，这个磁场怎么来都是一个问题，永磁体就不用想了，电磁场，以现在的条件来说也是个问题。

反倒是技术落后的电阻加热，在现在是更加可行的，每一项技术的存在，总是有它的理由的。

反正现在这个也不是什么要求很高的制程，所以整个集成电路工艺在高振东看起来虽然充满了凑合、将就的意思，但是在这个阶段，差不多就是最合适的了。

不过，1274厂的两位，明显不觉得这套工艺是凑合或者将就。